Samsung wprowadza układy 2 Gb DDR3 40nm 22 lipiec

Samsung ogłosił dzisiaj rozpoczęcie produkcji 2-gigabitowych układów pamięci DDR3 w 40-nanometrowym procesie technologicznym. Poza modułami RDIMM o pojemności 16 GB, 8 GB oraz 4 GB dla serwerów, Samsung wykorzysta nowe układy do produkcji modułów UDIMM dla stacji roboczych i komputerów domowych oraz SODIMM do notebooków. Monolityczne 2GB układy pamięci oferują szybkość przesyłania danych do 1,6 Gb/s przy napięciu 1,35 V. ~admin